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国内率先!首款存算一体大算力AI元器件成功点亮

5月23日,业内首款存算一体大算力AI元器件在南京后摩智能公司成功点亮,并成功跑通智能驾驶算法模型。该器件基于架构创新,采用SRAM(静态随机存取存储器)作为存算一体介质,通过存储单元和计算单元的深度融合,实现了高性能和低功耗,样片算力达20TOPS,可扩展至200TOPS,计算单元能效比高达20TOPS/W。与传统架构下的大算力器件相比,它在算力、能效比等方面都具有显著的优势。

在智能驾驶等计算场景中,除了对算力需求高外,对器件的功耗和散热也有很高的要求。目前,常规架构器件设计中,内存系统的性能提升速度大幅落后于处理器的性能提升速度,有限的内存带宽无法保证数据高速传输,无法满足高级别智能驾驶的计算需求。其次,数据来回传输又会产生巨大的功耗。

为此,后摩智能通过走差异化创新之路,在国内率先通过底层架构创新,进行大算力AI器件设计。研发人员根据传统存储器件重新设计电路、单元阵列、工具链等,同时突破了多项物理和结构上的技术难题。

据悉,该款器件采用22纳米成熟工艺制程,在提升能效比的同时,还能有效把控制造成本。同时,首次在存内计算架构上跑通了智能驾驶场景下多场景、多任务算法模型,为高级别智能驾驶提供了一条全新的技术路径。未来有可能用W级别的功耗提供P级别的计算能力,更好地满足高级别智能驾驶时代的需求。此外,在灵活性方面,它不但支持市面上的主流算法,还可以支持不同客户定制,更加适配于算法的高速迭代。(科技日报记者 张晔)

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关键词: 存算一体大算力AI元器件 样片算力 算单元能效比 静态随机存取存储器

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